GS-065-011-6-L-MR 是一款增强型氮化镓非硅功率晶体管。GaN 的特性可实现高电流、高电压击穿和高开关频率。GaN Systems 通过业界领先的创新技术,如获得专利的 Island Technology® 单元布局,实现了大电流芯片和高产量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷却型晶体管,具有极低的结壳热阻,适用于要求苛刻的高功率应用。这些特性结合在一起,可提供极高效率的功率开关。
应用
电源适配器
LED照明驱动器
电池充电快
功率因数校正
工业电源
光伏
电信基础设施用交流-直流电源转换
数据中心和计算解决方案
电器和工业电机驱动器
无线功率传输
GS-065-011-6-L-MR产品属性:
FET 类型: N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :12.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 3.2A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PDFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
型号
品牌
封装
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描述
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CYT3DLABFBQ1AESGS是一款专为仪表盘和抬头显示器 (HUD) 等汽车应用设计的32位微控制器,属于TRAVEO™ T2G CYT3DL系列MCU。以下是其关键特性:Arm Cortex-M7 和 Arm Cortex-M0+最高 4 MB flash、384 KB SRAMMIPI2.5 D WVGA GFX、2 MB VRAM1x视频输入、2x视频输出、HYPER…电话咨询:86-755-83294757
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