品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:60 W; DC至2700MHz; 50 V; 面向LTE和脉冲雷达应用的GaN HEMT
封装:QSOP-20产品说明:Nano Cap™,EcoGaN™,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率级 IC
封装:VQFN-46产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-85
封装:PG-DSO-20产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-87
封装:PG-DSO-20产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-HSOF-8-3
封装:PG-HSOF-8产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A(Tc) 55,5W(Tc) PG-HSOF-8-3
封装:PG-HSOF-8产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 15A(Tc) 114W(Tc) PG-LSON-8-1
封装:PG-LSON-8产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1
封装:PG-LSON-8产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 12.8A(Tc) 55,5W(Tc) PG-TSON-8-6
封装:PG-TSON-8产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 8.2A(Tc) 41.6W(Tc) PG-TSON-8-7
封装:PG-TSON-8产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 半桥 600 V,可提供高密度、高效率解决方案
封装:PG-TIQFN-28产品说明:CoolGaN™ 600 V 增强型功率晶体管具有快速导通和关断速度,开关损耗最小
封装:PG-LSON-8产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装
封装:PG-HSOF-8产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装
封装:PG-DSO-20产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ e 模式功率晶体管,采用顶部冷却功率封装
封装:20-PowerSOIC电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: