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IGLD65R080D2

产品说明:650 V G5 GaN HEMT – 氮化镓晶体管

封装:PG-LSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 ​100 V G3,2.4 mΩ

封装:PG-TSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3,2.4 mΩ

封装:PG-VSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 86 A ​80 V G3,1.8 mΩ

封装:PG-TSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 99 A ​60 V G3,1.3 mΩ

封装:PG-TSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 43 A ​200 V G3,6.7 mΩ

封装:PG-TSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 71 A ​120 V G3,2.7mΩ

封装:PG-TSON-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

封装:PG-TSON-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S101

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

封装:PG-VSON-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB070S10S1

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

封装:PG-TSON-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGK080B041S

产品说明:GaN HEMT – 氮化镓晶体管 双向开关 40 V G3,6 mΩ

封装:WLCSP-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

产品说明:650V,CoolGaN™ G5 系列 - GaN 功率晶体管,PG-TSON-8

封装:PG-TSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-TR

产品说明:700V CoolGaN™功率晶体管,具有极高的效率和可靠性

封装:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

产品说明:700V CoolGaN™功率晶体管,具有极高的效率和可靠性

封装:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

产品说明:GaN 场效应晶体管 650V,18A,GaN E-模式,8x8 PDFN,底部冷却

封装:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

产品说明:GaN 场效应晶体管 650V,11A,GaN E-mode,8x8 PDFN,底部冷却

封装:PDFN 8x8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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