GS-065-011-1-L-TR - GaN HEMT – 氮化镓晶体管 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：GS-065-011-1-L-TR

商品名称：GaN 晶体管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PDFN 5x6

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

GS-065-011-1-L-TR

封装

PDFN 5x6

描述

GaN 场效应晶体管 650V，11A，GaN E-模式，5x6 PDFN，底部冷却

产品描述

GS-065-011-1-L-TR 是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 GS-065-011-1-L-TR 是一款采用 5x6 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他中等功率应用所需的理想功耗。

GS-065-011-1-L-TR 规格

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

最大工作频率: > 1 MHz

最小工作频率: 0 Hz

湿度敏感性: Yes

系列: GS-065

技术: GaN-on-Si

晶体管类型: E-Mode

应用领域

AC-DC

USB供电

USB PD适配器

充电器

工业

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。