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GS-065-011-6-LR-MR 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管，具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。它采用底部冷却 PDFN 封装，结壳热阻极低，非常适合要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起，确保了极高的功率开关效率。

特性

700 V 电子模式功率晶体管

850 V 漏极至源极瞬态电压

底部冷却、8x8 毫米 PDFN 封装

RDS(on) = 125 mΩ

IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A

超低 FOM

栅极驱动要求（0 V 至 6 V）

开关频率高（> 1 MHz）

快速、可控的下降和上升时间

反向导通能力

零反向恢复损耗

产品属性

FET 类型： N 通道  

技术： GaNFET（氮化镓）  

漏源电压（Vdss）： 700 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.2A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 @ 3.2A，6V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 2.4mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF @ 400 V  

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： 8-PDFN（8x8）  

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘 

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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