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C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括：可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。

C3M0280090J的规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 7.5A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.5 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+18V，-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150 pF @ 600 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263-7

封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

基本产品编号：C3M0280090

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