C3M0016120K1是设计符合工业标准的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速开关特性,电容低,阻断电压高,导通电阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。
C3M0016120K1的规格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:13 ns
Id-连续漏极电流:115 A
最大工作温度:+ 175°C
最小工作温度:- 40°C
安装风格:Through Hole
通道数量:1 Channel
封装 / 箱体:TO-247-4
Pd-功率耗散:556 W
产品类型:SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷:211 nC
Rds On-漏源导通电阻:28.8 mOhms
上升时间:33 ns
工厂包装数量:30
子类别:Transistors
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
典型关闭延迟时间:65 ns
典型接通延迟时间:34 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
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