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C3M0065090D是基于第三代技术的900 V, 65 mΩ, 36 A 碳化硅功率 MOSFET，具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。包括：可再生能源逆变器、 电动汽车充电系统和三相工业电源。

C3M0065090D的规格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：25 ns

正向跨导 - 最小值：11.6 S

Id-连续漏极电流：36 A

最大工作温度：+ 150°C

最小工作温度：- 55°C

安装风格：Through Hole

通道数量：1 Channel

封装 / 箱体：TO-247-3

封装：Tube

Pd-功率耗散：125 W

产品：Power MOSFETs

产品类型：SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷：30.4 nC

Rds On-漏源导通电阻：90 mOhms

上升时间：36 ns

工厂包装数量：30

子类别：Transistors

技术：SiC

晶体管极性：N-Channel

类型：Silicon Carbide MOSFET

典型关闭延迟时间：28 ns

典型接通延迟时间：21 ns

Vds-漏源极击穿电压：900 V

Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 18 V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V

单位重量：6 g

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