C2M0280120D—碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式
特点
• C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
• 高阻塞电压,低导通电阻
• 高速开关,低电容
• 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)
• 无卤素,符合 RoHS 规范
规格
FET: 类型 N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 370 毫欧 @ 6A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1.25mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 259 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 62.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
应用
• 可再生能源
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• 不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
ECB4R3M12YM3
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ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模块 ,属于六单元模块 (YM系列),适用于汽车电子领域。以下是其核心参数:技术:碳化硅(SiC)配置:6 N 沟道(三相逆变器)FET 功能:-漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)25C 时电流 - 连续漏极 (Id):700A不同 Id、Vgs 时…C3M0060065D
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C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…电话咨询:86-755-83294757
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