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IPP022N12NM6 - 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-220-3 封装

IPP022N12NM6 - 产品描述：

IPP022N12NM6 是一款普通级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-220-3 封装，导通电阻为 2.2 mOhm。

IPP022N12NM6 - 产品属性：

技术： 硅  

安装方式：通孔  

封装/外壳：TO-220-3  

晶体管极性：N 沟道  

通道数：1 通道  

Vds - 漏极-源极击穿电压：120 V  

Id - 持续漏极电流：203 A  

Rds On - 漏极-源极电阻：2.6 mOhms  

Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V  

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：3.1 V  

Qg - 栅极电荷： 113 nC  

工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ) 

Pd - 功率耗散： 395 W  

通道模式： 增强  

配置：单通道  

下降时间：23.6 毫微秒  

产品类型：MOSFET  

上升时间：22.7 毫微秒  

晶体管类型：1 N 沟道  

典型关断延迟时间：41.8 ns  

典型导通延迟时间：22.3 ns 

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