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英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET——IPP051N15N5特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。

IPP051N15N5 产品属性

系列： OptiMOS™ 5  

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 150 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 @ 60A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V @ 264µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF @ 75 V  

功率耗散（最大值）： 300W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

供应商器件封装： PG-TO220-3-1  

封装/外壳： TO-220-3 

IPP051N15N5 潜在应用

低压驱动器

通信

太阳能

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