BSM150GB120DN2 是Infineon公司研发生产的一款IGBT 模块 1200V 150A DUAL,具有以下特性:
• 半桥
• 包括快速续流二极管
• 带绝缘金属底板的封装
BSM150GB120DN2 的规格
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV
集电极—射极饱和电压:2.5 V
在25 C的连续集电极电流:210 A
栅极—射极漏泄电流:320 nA
Pd-功率耗散:1.25 kW
封装 / 箱体:Half Bridge2
工作温度:- 40°C 至 + 150°C
封装:Tray
商标:Infineon Technologies
高度:30 mm
长度:106.4 mm
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Screw Mount
产品类型:IGBT Modules
型号
品牌
封装
数量
描述
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SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封装的 CoolMOS N 沟道功率 MOSFET 晶体管。SPA11N80C3 的规格晶体管极性:N 沟道通道数:1 通道Vds - 漏极-源极击穿电压:800 VId - 漏极连续电流:11 ARds On - 漏极-源极电阻:450 mOhmsVgs - 栅极源极电压:- 20 V,+ 20 VVgs th - 栅极…电话咨询:86-755-83294757
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