E4M0025075J2是一款750 V, 25 mΩ, 84 A, 采用 TO-263-7 封装的第四代分立碳化硅MOSFET。
Wolfspeed通过推出第四代750 V E系列汽车认证、支持PPAP和防潮的碳化硅(SiC)MOSFET扩展了其技术。它采用TO-263-7 (J2)表面贴装封装,增强了热性能,有利于装配自动化。
E系列MOSFET针对电动汽车HVAC电机驱动、电动汽车车载充电器和高压DC/DC转换器进行了优化,Wolfspeed的22kW双向DC/DC转换器采用了IMS板参考设计。
特性
汽车认证(AEC-Q101)和PPAP能力
整个工作温度范围内的高击穿电压
低输出电容的高速开关
低RDS时的高阻塞电压(开)
具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
E3M0060065D
E3M0060065D - 650V、60mΩ、37A E-系列汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-247-3 封装产品概述E3M0060065D 是采用 TO-247-3 封装的 650V 碳化硅 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET,扩大了其在碳化硅领域的领先地位,该…E3M0060065K
产品概述E3M0060065K 是采用 TO-247-4 封装的 650V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 通过推出 E-系列碳化硅 (SiC) MOSFET,扩大了其在碳化硅领域的领先地位,该系列 MOSFET 符合汽车标准,具有 PPAP 能力和防潮性能。它采用了 Wolfspeed 的第三代坚固耐用技术,具有…C3M0045065D
C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-247-3 封装产品概览Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET,扩大了其碳化硅 (SiC) 技术的领先优势,使更多电源系统实现了更小、更轻和更高效的功率转换。650 V MOSFET 产品系列是高性能工业电源…C3M0045065J1
C3M0045065J1 -650V N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管产品描述C3M0045065J1 是采用 TO-263-7 封装的 650V N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET,扩大了其碳化硅 (SiC) 技术的领先优势,从而在更广泛的电源系统中实现了更小…C3M0040120J1
C3M0040120J1 是采用 TO-263-7 封装的 1200V N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,适用于 UPS、电机控制和驱动器、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压 DC/DC 转换器等大功率应用。将 Wolfspe…C3M0040120K
C3M0040120K -1200V、40mohm N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管产品描述C3M0040120K 是采用 TO-247-4 封装的 1200V N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,适用于 UPS、电机控制和驱动器、开关模式电源、太阳…电话咨询:86-755-83294757
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