CAS175M12BM3 - 1200V、8mΩ 半桥碳化硅功率模块
产品描述
CAS175M12BM3 是 1200V 半桥碳化硅功率模块。它具有碳化硅 (SiC) 的系统优势,同时保持了坚固耐用的行业标准 62 毫米模块封装。Wolfspeed 62 毫米 BM3 封装的内部设计实现了高速碳化硅开关优势,并由于低电感布局而提高了系统效率。
主要特点
业界领先、可靠的碳化硅 MOSFET 技术,采用稳健、成熟的 62 毫米封装形式
低电感设计(10 - 15 nH),可实现快速开关和低功率损耗
系统优势
广泛的电流和电压额定值组合可满足各种工业应用要求
从 62 mm IGBT 封装过渡所需的开发工作最少,上市时间短
降低冷却要求和整体系统成本
优化内部布局,实现低功率损耗和最小过冲,最大限度地提高电压利用率
应用
感应加热
电机驱动
能源发电/智能电网/智能能源
电动汽车快速充电
UPS 和 SMPS
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模块 ,属于YM系列六单元模块。该模块采用行业标准封装技术,优化电源端子布局,可降低电感并减少过冲电压,同时具备低开关损耗特性。核心参数技术:碳化硅(SiC)配置:6 N 沟道(三相逆变器)FET 功能:-漏源电压(…ECB2R8M12YM3
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C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装,具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…电话咨询:86-755-83294757
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