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WAB300M12BM3 是 1200V、300 A 的碳化硅半桥模块。

规格

技术：碳化硅（SiC）

配置：2 N 沟道（半桥）

漏极至源极电压 (Vdss)：1200V (1.2kV)

电流 - 持续漏极 (Id) @ 25°C：382A (Tc)

Rds On（最大）@ Id，Vgs：5.2mOhm @ 300A，15V

Vgs（th）（最大值）@ Id：3.6V @ 92mA

栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：908nC @ 15V

输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds：24500pF @ 1000V

工作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)

特点

工业标准 62 mm 基底面

高湿度操作 THB-80 (HV-H3TRB)

高结温 (175 °C) 运行

采用开关优化的第三代 SiC MOSFET 技术

低电感（10.2 nH）设计

氮化硅绝缘体和铜基板

应用

铁路和牵引

太阳能

电动汽车充电器

工业自动化与测试

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。