MCB20P1200LB-TUR 是 N 沟道 1200V SiC MOSFET 模块。
规格
产品： 功率 MOSFET 模块
类型： 半桥模块 半桥模块
技术： SiC 碳化硅
Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V
最低工作温度：- 40 C
最高工作温度 + 150 C
单位重量：8 克
特点
高速开关，低电容
阻断电压高，RDS（导通）低
易于并联，驱动简单
抗闩锁
真正的开尔文源连接
应用
太阳能逆变器
高压 DC/DC 转换器
电机驱动器
开关模式电源
不间断电源
电池充电器
感应加热
型号
品牌
封装
数量
描述
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