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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 (SiC）/SiC MOSFET 模块
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IXFN50N120SIC

商品名称：SiC MOSFET 模块

品牌：IXYS

年份：24+

封装：SOT-227-4

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
IXYS
型号
IXFN50N120SIC
封装
SOT-227-4
描述
N 沟道 1200V 47A SiC MOSFET 模块

产品描述

IXFN50N120SIC 是一款 N 沟道 1200V 47A SiC MOSFET 模块。


规格

类型： HiperFET HiperFET

技术： SiC 碳化硅

Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V

安装方式：螺钉安装 螺钉安装

封装/外壳：SOT-227-4

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度 + 155 C

配置 单通道

下降时间：19 ns

Id - 持续漏极电流：47 A

通道数 1 通道

Rds On - 漏极-源极电阻： 50 mOhms

上升时间：9 毫微秒

晶体管极性 N 沟道

典型关断延迟时间：75 ns

典型导通延迟时间：23 ns

Vds - 漏极-源极击穿电压：1.2 kV

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：2 V

单位重量：59.703 克


特点

高速开关，低电容

阻断电压高，RDS（导通）低

易于并联，驱动简单

雪崩坚固耐用

抗闩锁


应用

太阳能逆变器

高压 DC/DC 转换器

电机驱动器

开关模式电源

不间断电源

电池充电器

感应加热


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

BSM600D12P4G103

ROHM

Module

1000

1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块

NXH004P120M3F2PNG

ON

PIM-36

1000

SiC M3 MOSFET 模块、1200 V、2 Pack半桥拓扑、F2封装，带Si3N4 DBC

NXH010P90MNF1PG

ON

Module

1000

10 mΩ SiC M2 MOSFET，900 V，2-PACK半桥拓扑， F1封装

NXH010P120M3F1PG

ON

PIM-18

1000

10 mohm SiC M3S MOSFET 模块，1200 V，2-PACK半桥拓扑，F1封装

NXH008P120M3F1PG

ON

PIM-18

1000

8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块，1200 V，2-PACK半桥拓扑，F1封装

NXH008P120M3F1PTG

ON

PIM-18

1000

8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块，1200 V，2-PACK半桥拓扑，F1封装

MSCSM120X10CTYZBNMG

Microchip

Module

1000

1200V、HPD、三相桥 + 驱动全选项混合动力驱动 mSiC™ MOSFET 模块

NXH040F120MNF1PG

ON

PIM-22

3000

碳化硅 (SiC) 模块 - 1200V，40mohm，SiC MOSFET 模块

MSC40SM120JCU2

Microchip

SOT-227

1000

SiC MOSFET 模块 N 通道 1200 V 55A（Tc） 245W（Tc） SOT-227（ISOTOP®）

MSCSM120AM31TBL1NG

Microchip

Module

1000

SiC MOSFET 模块 1200V 79A 310W 底座安装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

IXYS

IXYS

IXYS（中文名： 艾赛斯）总部位于美国硅谷，1983年成立，主营：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域，产品技术特点为高压、高功率，涵盖了…

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