DA14592-01000O92是一款中端低功耗蓝牙® (LE) SoC,在同类产品中具有最低的功耗和最小的解决方案尺寸。 该 SoC 具有多核处理(Arm Cortex-M33™、Arm® Cortex-M0®+)和片上存储器(RAM/ROM/闪存),可支持广泛的应用,同时具有高性价比。 型应用包括互联医疗设备、物资追踪、人机接口设备、计量系统、PoS 读卡器和众包定位技术(CSL)。
特性
双核:64MHz 的 Cortex-M33F 作为应用内核,64MHz 的 Cortex-M0+ 作为可配置 MAC
接收灵敏度 -97dBm,发射 +6dBm
96kB RAM(+16kB 缓存)、256kB 闪存、288kB ROM(包括堆栈)、QSPI 外部闪存/RAM 扩展
8 通道、15 位 Σ-Δ 型 ADC
功耗:RadioRx = 1.2mA,RadioTx = 2.3mA,活动 = 34μA/MHz,休眠 = 90nA
仅需 6 个外部组件
封装:WLCSP (3.32 x 2.48mm)、FCQFN (5.1 x 4.3mm)
安全性:安全密钥存储,安全启动
四解码器(在休眠状态下有效)
应用
轻型电动汽车仪表板
众包位置追踪
资产追踪
互联健康
人机接口设备
活动跟踪器
玩具
数据记录器
销售点(PoS)读卡器
计量
高端语音遥控器(RCU)
物联网终端节点
型号
品牌
封装
数量
描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。该晶体管结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要规格如下:晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。TP65H300G4LSGB结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行业标准的 PQFN88 封装,具有 Kelvin 源和通用源封装配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行闪存,由Renesas生产,支持单/双/四线I/O、QPI和DTR接口,适用于工业、消费电子等领域。该器件具有以下特性:通用兼容的引脚排列和命令集标准块架构支持双 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高达 133MHz双倍传输速率(DTR)高达 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行闪存,支持单路、双路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,适用于工业、消费类和联网应用。其技术参数如下:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8系列:AT25xF2561C存储容量:256 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外设接口(SPI)NOR闪存器件设计用于各种大容量工业、消费类和联网应用。AT25QF2561C-SXUB可用于将从闪存启动到嵌入式或外部RAM的程序存储器存储,和/或用于直接从闪存执行(XiP)中执行代码。为了实现快速执行,AT25QF2561C-SXUB支持高达13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外设接口(SPI)闪存器件,用于各种大容量工业、消费电子和连接应用。 它可以储存从闪存到嵌入式或外部 RAM 的程序内存,和/或直接从闪存执行代码(就地执行(XiP))。 为了实现快速执行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…电话咨询:86-755-83294757
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