商品名称：PMDXB600UNE
数据手册：
PMDXB600UNE.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封装：DFN-6
货期：全新原装
库存数量：5000 件
PMDXB600UNE 双N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用无铅超小型DFN1010B-6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
产品规格
技术： MOSFET（金属氧化物）
配置： 2 N-通道（双）
FET 功能： -
漏源电压（Vdss）： 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21.3pF @ 10V
功率 - 最大值： 380mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： DFN1010B-6
特征和优势
沟槽式MOSFET技术
无引线超小超薄SMD塑料封装：1.1 × 1.0 × 0.37 mm
裸露的漏极垫，具有良好的热传导性
静电放电（ESD）保护 > 1 kV HBM
漏极-源极导通电阻 RDSon = 470 mΩ
应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二极管用于超高性能、低损耗、高效率的功率转换应用。该 SiC 肖特基二极管封装在 TO-263-2 通孔功率塑料封装中，具有不受温度影响的电容关断、零恢复开关特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特点零正向和反向恢复降低系统成本与温度无关的快速平稳开关…
PSC2065LQ
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GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒装封装，具有低电感、低开关损耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的规格：FET 类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：58.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
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GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化镓 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常闭电子模式器件，具有出色的性能和非常低的导通电阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平无引线封装 (VQFN)。特性：增强模式－常关电源开关超高频开关能力无体二极…电话咨询：86-755-83294757
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