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STGW25M120DF3该器件是一种 IGBT，采用先进的专有沟槽栅场停结构。该器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正 VCE（饱和）温度系数和紧密的参数分布使并联操作更加安全。

STGW25M120DF3产品属性：

IGBT 类型： 沟槽型场截止  

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V  

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A  

电流 - 集电极脉冲 (Icm) ：100 A  

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V @ 15V，25A  

功率 - 最大值： 375 W  

开关能量： 850µJ（开），1.3mJ（关）  

输入类型： 标准  

栅极电荷： 85 nC  

25°C 时 Td（开/关）值： 28ns/150ns  

测试条件： 600V，25A，15欧姆，15V  

反向恢复时间 (trr)： 265 ns  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

封装/外壳： TO-247-3  

供应商器件封装： TO-247-3

应用领域

• 工业驱动

• 不间断电源

• 太阳能

• 焊接

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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