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BSM600D12P4G103

产品说明:1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BU97520AKV-ME2

产品说明:LCD 驱动器 3wire+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 线路/框架

封装:VQFP-80
10起
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

产品说明:Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率级IC

封装:VQFN-46
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tj) TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tc) TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC15

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 39A(Tj) 165W TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ARC15

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tj) 134W TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ALHRC11

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 134W TO-247N

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KRC15

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 24A(Tj) 134W TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWAHRTL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWAHRTL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A(Tc) TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

产品说明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

封装:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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