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产品说明:1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块
封装:Module产品说明:LCD 驱动器 3wire+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 线路/框架
封装:VQFP-80产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管
封装:TO-247N-3产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管
封装:TO-247N-3产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率级IC
封装:VQFN-46产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tj) TO-263-7LA
封装:TO-263-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tc) TO-263-7LA
封装:TO-263-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 39A(Tj) 165W TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tj) 134W TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 134W TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 24A(Tj) 134W TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7LA
封装:TO-263-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A(Tc) TO-263-7LA
封装:TO-263-7电话咨询:86-755-83294757
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