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SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引脚封装 SiC（碳化硅）MOSFET，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等应用。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

SCT3060ARC15的规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 13A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：852 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：165W

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

封装/外壳：TO-247-4

基本产品编号：SCT3060

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