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深圳市明佳达电子有限公司
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产品分类

集成电路（IC）

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滤波器

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晶体管 - FET，MOSFET - 单个 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：SCT3160KWAHRTL

商品名称：碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌：ROHM

年份：24+

封装：TO-263-7

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ROHM
型号
SCT3160KWAHRTL
封装
TO-263-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A（Tc） TO-263-7LA

产品描述

SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽车用SiC(碳化硅)沟槽MOSFET。其特点包括耐高压、低导通电阻和快速开关速度。该器件采用小型TO-263-7封装，设计符合AEC-Q101标准。


SCT3160KWAHRTL的规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：208 毫欧 @ 5A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：398 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263-7LA

封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA


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ROHM

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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一，总部所在地设在日本京都市，ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。

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