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产品说明:750 W连续波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射频功率晶体管
封装:NI-1230-4S产品说明:750 W连续波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射频功率晶体管
封装:NI-1230-4H产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET
封装:ACP-1230S-4L2S产品说明:A5G18H610W19N 1805–1880MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:OM- 780- 4S4S产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET
封装:ACP-1230S-4L2S产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET
封装:ACP-1230S-4L2S产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET
封装:ACP-1230S-4L2S产品说明:1805-1880 MHz,71 W平均值,28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管
封装:ACP-1230S-4L2S产品说明:728-960 MHz,2 W平均值,48 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管
封装:24-PQFN-EP产品说明:3400-3600 MHz,7.6 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:DFN-6产品说明:射频 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN(7x6.5)
封装:6-LDFN产品说明:射频 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L
封装:OM-1230-4L产品说明:快速射频功率 LDMOS 晶体管,720-960 MHz,平均 107 W,48 V
封装:OM-780-4产品说明:射频 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L
封装:OM-780G-4L产品说明:射频 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L
封装:OM-1230-4L产品说明:射频 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 19.9dB 267W OM-780G-4L
封装:OM-780G-4L电话咨询:86-755-83294757
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