商品名称：A5G35H055NT4
数据手册：
A5G35H055NT4.pdf
品牌：NXP
年份：23+
封装：DFN-6
货期：全新原装
库存数量：1000 件
A5G35H055NT4 Airfast射频功率氮化镓晶体管是一款7.6W非对称Doherty射频功率氮化镓晶体管。它设计用于需要极宽瞬时带宽能力的蜂窝基站应用。该晶体管涵盖的频率范围为3400至3600MHz。
产品属性
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术: GaN Si
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
工作频率: 3.4 GHz to 3.6 GHz
增益: 15.4 dB
输出功率: 7.6 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-6
湿度敏感性: Yes
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: A5G35H055N
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
型号
品牌
封装
数量
描述
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