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深圳市明佳达电子有限公司

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AI 处理器

电阻器网络

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A5G26H110NT4
NXP

产品说明:RF Mosfet 48 V 50 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 17.7dB 15W 6-PDFN (7x6.5)

封装:DFN-6
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF13750HSR5
NXP

产品说明:750 W连续波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射频功率晶体管

封装:NI-1230-4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF13750HR5
NXP

产品说明:750 W连续波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射频功率晶体管

封装:NI-1230-4H
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T23H300W23S
NXP

产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET

封装:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G18H610W19NR3
NXP

产品说明:A5G18H610W19N 1805–1880MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T21H456W23SR6
NXP

产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET

封装:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T19H455W23SR6
NXP

产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET

封装:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H455W23SR6
NXP

产品说明:N 沟道增强型侧向 MOSFET

封装:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H400W23SR6
NXP

产品说明:1805-1880 MHz,71 W平均值,28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

封装:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2T08VD020NT1
NXP

产品说明:728-960 MHz,2 W平均值,48 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

封装:24-PQFN-EP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G35H055NT4
NXP

产品说明:3400-3600 MHz,7.6 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:DFN-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3G26D055NT4
NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN(7x6.5)

封装:6-LDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H525-04NR6
NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L

封装:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H400-04NR3
NXP

产品说明:快速射频功率 LDMOS 晶体管,720-960 MHz,平均 107 W,48 V

封装:OM-780-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H300-04NR3
NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L

封装:OM-780G-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H525-04NR6
NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L

封装:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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