A5G26H110NT4是Airfast 射频功率 GaN 放大器,这款15W非对称Doherty GaN射频功率放大器专为2496到2690MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
特点和优势
• 终端阻抗高,可实现最佳宽带性能
• 利用下一代信号改进线性化误差矢量幅度
• 能够承受极高的输出驻波比和宽带工作条件
• 专为低复杂度线性化系统设计
• 针对 5G 基站的大规模 MIMO 有源天线系统进行了优化
A5G26H110NT4 产品属性
产品种类:GaN 场效应晶体管
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-6
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Id-连续漏极电流: 8.7 mA
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
产品类型: GaN FETs
系列: A5G26H110N
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN-on-Si
类型:RF Power MOSFET
型号
品牌
封装
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描述
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