NTMFD5C672NLT1G适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET,采用 5x6 mm 扁平引线封装,且具有较高的热性能。
参数
技术: MOSFET(金属氧化物)
配置: 2 个 N 沟道
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :12A(Ta),49A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 793pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.1W(Ta),45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
应用
电机控制
同步直流至直流稳压器
电源开关(高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等)
电池管理和保护
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
8-PowerTDFN
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)
INFINEON
9-PowerTDFN
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装,具有业界领先的 RDS(on)
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