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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

品牌:

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操作

LMG2640RRGR
TI

产品说明:650V 105mΩ 氮化镓半桥驱动器,集成驱动、保护和电流检测功能

封装:VQFN-40
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3614REQR
TI

产品说明:650V 170mΩ 氮化镓场效应晶体管,内置驱动器和保护功能

封装:VQFN-38
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G19H605W19NR3
NXP

产品说明:48V,Airfast® GaN射频功率晶体管,OM-780-4S4S

封装:OM-780-4S4S
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3526R030RQSR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN-52
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN-54
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

产品说明:100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级

封装:18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

产品说明:具有集成驱动器的 100V 4.4mΩ GaN FET

封装:15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLT65R110D2

产品说明:CoolGaN™ 晶体管 650 V G5

封装:PG‑HDSOP‑16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R270D2

产品说明:CoolGaN™ 晶体管 650 V G5

封装:PG‑TSON‑8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R200D2

产品说明:CoolGaN™ 晶体管 650 V G5

封装:PG‑TSON‑8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MCP22301T-2I/KYX

产品说明:独立的 USB Type-C Power Delivery 3.1 控制器

封装:VQFN-40
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MCP22301T-1I/KYX

产品说明:独立的 USB Type-C Power Delivery 3.1 控制器

封装:VQFN-40
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MAX25432BATLP/V

产品说明:汽车级100W、USB PD、PPS、降压-升压端口控制器和保护器

封装:TQFN-40
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSD2621C-DQAGR

产品说明:高压半桥GaN驱动芯片

封装:LGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSD2621A-DQAGR

产品说明:高压半桥GaN驱动芯片

封装:LGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSG65N15K-DQAFR

产品说明:氮化镓Power Stage芯片、内部集成650V的GaN开关管和半桥驱动器

封装:QFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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