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嵌入式和网络处理器

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GAN039-650NTBZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

封装:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212

封装:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)

封装:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN

封装:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

产品说明:650V 170mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和电流检测功能

封装:VQFN-38
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGOT65R045D2

产品说明:650V CoolGaN™ G5 功率晶体管

封装:PG-DSO-20
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLT65R045D2

产品说明:650V CoolGaN™ G5 功率晶体管

封装:PG-HDSOP-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGOT65R055D2

产品说明:CoolGaN™ 功率晶体管 650V G5,具有极高的效率、功率密度和可靠性

封装:PG-DSO-20
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

产品说明:600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测功能

封装:54-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

产品说明:100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET,带集成驱动器和保护功能

封装:WQFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CYPD727268LQXQ

产品说明:带有DC-DC转换器的双通道PD控制器 IC PG-VQFN-68

封装:VQFN-68
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS65982BBZBHR
TI

产品说明:带集成 5V 负载开关且适用于 USB-PD 设备的双 USB 告示板

封装:96-VFBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS25762CAQRQLRQ1
TI

产品说明:具有集成降压/升压稳压器的汽车类 USB Type-C® PD 控制器 29-VQFN-HR(6x5)

封装:29-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

产品说明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:OM−780−4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

产品说明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-060-5-B-A-TR

产品说明:650V 汽车电子模式氮化镓晶体管

封装:GaNPX
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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