IGLT65R110D2氮化镓功率晶体管可提高高频工作时的效率。作为 CoolGaN™ 650 V G5 系列的一部分,它符合最高质量标准,实现了具有卓越效率的高可靠性设计。它采用顶部冷却 TOLT 封装,专为各种工业应用中的最佳功率耗散而设计。
特性(IGLT65R110D2)
650 V 电子模式功率晶体管
超快开关
无反向恢复电荷
可反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向坚固性
低动态 RDS(on)
高 ESD 鲁棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
顶部冷却封装
通过 JEDEC 认证(JESD47、JESD22)
优势(IGLT65R110D2)
支持高工作频率
实现最高系统效率
实现超高功率密度设计
支持节省 BOM 成本
规格(IGLT65R110D2)
产品种类: GaN 场效应晶体管
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-HDSOP-16
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 3.4 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
应用(IGLT65R110D2)
用于电信基础设施的 AC-DC 电源转换
数据中心和计算解决方案
电动汽车充电
工业电源
光伏
型号
品牌
封装
数量
描述
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