LMG3526R030RQSR 器件是一款具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
特性:
具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET 释抑
23.6MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
在 7.5V 至 18V 电源下工作
强大的保护
响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
数字温度 PWM 输出
顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感
有助于实现软开关转换器的零电压检测功能
应用
开关模式电源转换器
商用网络和服务器 PSU
商用通信电源整流器
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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