LMG2640RRGR 是一款专为开关模式电源应用设计的 650V 氮化镓功率场效应晶体管(GaN Power-FET)半桥电路。LMG2640RRGR 通过将半桥功率场效应晶体管、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器集成于 9mm × 7mm QFN 封装中,简化了设计流程、减少了元器件数量并节省了电路板空间。
LMG2640RRGR 的特点
650V 氮化镓功率场效应晶体管半桥
105mΩ 低侧和高侧氮化镓场效应晶体管
集成低传播延迟栅极驱动器
高带宽和高精度电流检测模拟
低侧/高侧栅极驱动互锁
高侧栅极驱动信号电平转换器
智能切换自举二极管功能
高侧启动时间:< 8µs
低侧/高侧周期性过流保护
过温保护,通过FLT引脚报告
AUX空闲静态电流:250µA
AUX待机静态电流:50µA
BST 空闲静态电流:65µA
最大供电和输入逻辑引脚电压:26V
9×7mm QFN 封装,带双热垫
LMG2640RRGR 的应用
交流/直流适配器和充电器
交流/直流 USB 墙式电源适配器
交流/直流辅助电源适配器
移动墙式充电器设计
USB 墙式电源插座
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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