LMG3100R044VBER - GaN FET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：LMG3100R044VBER

商品名称：GaN FET

品牌：TI

年份：24+

封装：15-VQFN-FCRLF

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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技术参数

制造商

型号

LMG3100R044VBER

封装

15-VQFN-FCRLF

描述

具有集成驱动器的 100V 4.4mΩ GaN FET

产品描述

LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲、126A 氮化镓 (GaN) FET。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。

特性：

集成了 1.7mΩ GaN FET 和驱动器

100V 连续 120V 脉冲式电压额定值

集成了高侧电平转换和自举

两个 LMG3100 可构成一个半桥

无需外部电平转换器

5V 外部辅助电源

支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平

高压摆率开关，低振铃

栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率

内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动

电源轨欠压锁定保护

低功耗

封装经过优化，便于 PCB 布局

外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热

底部大型外露焊盘，实现底面散热

应用：

• 降压、升压和降压-升压转换器

• LLC 转换器

• 太阳能逆变器

• 电信和服务器电源

• 电机驱动

• 电动工具

• D 类音频放大器

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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