LMG2100R026VBNR - GaN FET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：LMG2100R026VBNR

商品名称：GaN FET

品牌：TI

年份：24+

封装：18-VQFN-FCRLF

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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技术参数

制造商

型号

LMG2100R026VBNR

封装

18-VQFN-FCRLF

描述

100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级

产品描述

LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN） FET。该器件由两个 GaN FET 组成，由一个采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器驱动。

特性：

集成半桥 GaN FET 和驱动器

93V 连续，100V 脉冲额定电压

封装经过优化，便于 PCB 布局

高转换速率开关，低振铃

5V 外部偏置电源

支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平

栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率

出色的传播延迟（典型值为 33ns）和匹配性（典型值为 2ns）

内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱

用于锁定保护的电源轨欠压

低功耗

外露顶部 QFN 封装，用于顶部冷却

用于底部冷却的大型 GND 焊盘

应用：

• 降压、升压、降压-升压转换器

• LLC 转换器

• 太阳能逆变器

• 电信和服务器电源

• 电机驱动

• 电动工具

• D 类音频放大器

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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