LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 GaN FET 组成,由一个采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器驱动。
特性:
集成半桥 GaN FET 和驱动器
93V 连续,100V 脉冲额定电压
封装经过优化,便于 PCB 布局
高转换速率开关,低振铃
5V 外部偏置电源
支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率
出色的传播延迟(典型值为 33ns)和匹配性(典型值为 2ns)
内部自举电源电压箝位,以防止 GaN FET 过驱
用于锁定保护的电源轨欠压
低功耗
外露顶部 QFN 封装,用于顶部冷却
用于底部冷却的大型 GND 焊盘
应用:
• 降压、升压、降压-升压转换器
• LLC 转换器
• 太阳能逆变器
• 电信和服务器电源
• 电机驱动
• 电动工具
• D 类音频放大器
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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