AS4C512M16D4-75BIN 是一种高速动态随机存取存储器,内部结构为 16 块。
SpecificationsOf AS4C512M16D4-75BIN
内存大小:64 Mbit
数据总线宽度:16 位
最大时钟频率:166 MHz
封装/外壳:TSOPII-54
组织结构 4 M x 16
访问时间:5 毫微秒
电源电压 - 最低 3 V
电源电压 - 最大值:3.6 V
最低工作温度:- 40 C
最高工作温度 + 85 C
AS4C512M16D4-75BIN 的特性
1.2V 伪开漏接口
8n 预取架构
内部 VREFDQ 训练
可编程数据选通前置信号
数据选通前置信号训练
命令/地址延迟 (CAL)
多用途寄存器读取和写入功能
写入和读取电平
自动刷新和自刷新模式
低功耗自动自我刷新 (LPASR)
通过 DRAM 内置 TS 实现自动自我刷新 (ASR)
细粒度刷新
自刷新中止
最大省电
输出驱动器校准
可配置的片上终端 (ODT)
数据总线的数据总线反转 (DBI)
命令/地址 (CA) 奇偶校验
数据总线写循环冗余校验 (CRC)
每个 DRAM 寻址能力
连接性测试(x16)
型号
品牌
封装
数量
描述
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