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产品分类

嵌入式和网络处理器

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商品型号:AS4C512M32MD4V-046BIN

商品名称:DRAM 存储器

品牌:Alliance

年份:24+

封装:FBGA-200

货期:全新原装

库存数量:2000

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公司名称:

技术参数

制造商
Alliance
型号
AS4C512M32MD4V-046BIN
封装
FBGA-200
描述
8Gb 512M x 32 位 DRAM LPDDR4X 存储器

产品描述

AS4C512M32MD4V-046BIN 是 8Gb 512M x 32 位 DRAM LPDDR4X 内存。


AS4C512M32MD4V-046BIN 的特点

双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输

双向数据选通(DQS_t、DQS_c),与数据一起发送/接收,用于接收器捕获数据

差分时钟输入(CK_t 和 CK_c)

差分数据选通(DQS_t 和 DQS_c)

命令和地址输入正 CK 边沿;数据和数据掩码参考 DQS 的两个边沿

每个通道有 8 个内部组

DMI 引脚:正常写入和读取操作时为 DBI(数据总线反转),DBI 关闭时为屏蔽写入的数据屏蔽 (DM) DBI 开启时为屏蔽写入的 DQ 计数 #1

突发长度:16、32(OTF)

突发类型 顺序

读写延迟 : 请参阅 LPDDR4x AC 时序表

每个突发访问的自动预充电选项

可配置的驱动强度

刷新和自刷新模式

部分阵列自刷新和温度补偿自刷新

写入均衡

CA 校准

内部 VREF 和 VREF 培训

基于 FIFO 的写/读训练

MPC(多用途命令)

LVSTLE(低压摆动端接逻辑扩展) IO

VDD1/VDD2/VDDQ : 1.8V/1.1V/0.6V

VSSQ 终端

无 DLL:CK 至 DQS 不同步

- 边缘对齐数据输出,数据输入中心对齐的写入训练- 刷新率:3.9us-刷新速率:3.9us


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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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Alliance

Alliance Memory 是一家生产传统和新技术存储器产品的全球化无晶圆厂制造商,其产品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 产品。他们的产品组合包括与主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…

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