AS4C256M16D3LC-12BCN 4Gb 双数据速率-3 (DDR3L) DRAM 采用双数据速率架构,可实现高速运行。其内部配置为八组 DRAM。
AS4C256M16D3LC-12BCN 的规格
内存大小:4 Gbit
数据总线宽度:16 位
最大时钟频率:800 MHz
封装/外壳 FBGA-96
组织结构:256 M x 16
存取时间:20 毫微秒
电源电压 - 最低 1.283 V
电源电压 - 最大值:1.45 V
最低工作温度 0 C
最高工作温度 + 95 C
AS4C256M16D3LC-12BCN 的特性
符合 JEDEC 标准
电源: VDD & VDDQ =+1.35V (1.283V 至 1.45V)
向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V ±0.075V
支持 JEDEC 时钟抖动规范
完全同步运行
快速时钟速率: 800/933MHz
差分时钟、CK 和 CK#
双向差分数据选通--DQS 和 DQS#
8 个内部存储库,可同时运行
8n 位预取架构
流水线内部结构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
加法延迟 (AL):0、CL-1、CL-2
可编程突发长度:4、8
突发类型 顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
型号
品牌
封装
数量
描述
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