AS4C512M16D3LC-10BIN 8Gb(双芯片)双数据速率-3L DRAM 采用双数据速率架构,可实现高速运行。其内部配置为八组 DRAM。
AS4C512M16D3LC-10BIN 的特点
使用两个 4Gb x8 芯片组成一个 x16 封装--单排双芯片
符合 JEDEC 标准
电源: VDD 和 VDDQ = +1.35V
向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V±0.075V
支持 JEDEC 时钟抖动规范
完全同步运行
快速时钟速率: 800/933MHz
差分时钟、CK 和 CK#
双向差分数据选通--DQS 和 DQS#
8 个内部存储库,可同时运行
8n 位预取架构
流水线内部结构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
加法延迟 (AL):0、CL-1、CL-2
可编程突发长度:4、8
突发类型 顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
型号
品牌
封装
数量
描述
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