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产品说明:1.7kV 碳化硅 N 沟道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:1000V N 沟道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-263-7
封装:TO-263-7产品说明:1200V SiC 功率 MOSFET C3M™ MOSFET 晶体管,TO-263-7
封装:TO-263-7产品说明:1000V 120mOhm N 沟道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-263-7
封装:TO-263-7产品说明:IGBT - 功率,Co-PAK N 沟道,场截止 VII (FS7),可控硅,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:IGBT - 电源,单路,N 沟道,场截止 VII (FS7),可控硅,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:IGBT - 电源,单路,N 沟道,现场停止 VII (FS7),可控硅,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:IGBT - 汽车级 1200 V 40 A,TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:1.2kV、75mohm N 沟道增强型 SiC 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:1200V、75mohm 碳化硅 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:1200V、32mohm N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:1200V、32mohm 汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:1200V、75mohm 汽车碳化硅 N-通道增强模式 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:1.2kV 汽车碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶体管,TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:900V 碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶体管,TO-263-7
封装:TO-263-7产品说明:900V N-通道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-263-7
封装:TO-263-7电话咨询:86-755-83294757
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