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嵌入式和网络处理器

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STL76DN4LF7AG
ST

产品说明:汽车级双 N 沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW88N65M5
ST

产品说明:N 沟道 650V 24mΩ 84A MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C426NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40V,1.3mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STWA65N023M9
ST

产品说明:N 沟道 650V 19.9mΩ 92A MDmesh M9 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS6H850NWFTAG
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,9.5mΩ

封装:8-WDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65EF-F155
ON

产品说明:功率 MOSFET N 沟道 SUPERFET II FRFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EFC3J018NUZTDG
ON

产品说明:MOSFET - 功率,双路,N 沟道,用于 1-2 节锂离子电池保护

封装:WLCSP-6
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65F-F085
ON

产品说明:N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCPF190N60
ON

产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,600V,199mΩ,TO-220F

封装:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RFD12N06RLESM9A
ON

产品说明:N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS6H801NT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.8mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C430NLAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40V,1.4mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS6H818NT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,3.7mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDMS86150A
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道,屏蔽栅极,PowerTrench® 100V,4.85mΩ

封装:Power-56-8
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS4D1N15MC
ON

产品说明:MOSFET - 单 N 沟道 150V、4.1mΩ、185A

封装:TO-263-7
10起
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R040M2H

产品说明:通孔 N 通道 650 V 46A(Tj) 172W(Tc) PG-TO247-4-8

封装:PG-TO247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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