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onsemi 的UG4SC075006K4S“Combo-FET”将 750 V SiC JFET 和低压 Si MOSFET 集成到单个 TO247-4 封装中。这种创新方法允许用户创建电路，以实现常断开关，同时利用常导 SiC JFET 的优势。这些优点包括超低导通电阻 （RDS（on）） 以最大限度地减少传导损耗，以及简化的 JFET 器件结构的卓越鲁棒性特性，使其能够处理电路保护应用中所需的高能开关。对于开关模式电源转换应用，UG4SC075006K4S提供对 JFET 和 MOSFET 栅极的单独访问，以改进速度控制并轻松并联多个器件。

主要规格

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 80A，12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 180mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：164 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8374 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：714W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-4

典型应用

• 固态/半导体断路器

• 固态/半导体继电器

• 电池断开

• 电涌保护

• 浪涌电流控制

• 大功率开关模式转换器 （>25 kW）

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