[IGBT晶体管] IKP08N65H5——高速 650V、8A、TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT晶体管,采用 TO-220 封装,与快速柔软 RAPID 1 反并联二极管共同封装。
产品详情:
型号:IKP08N65H5
封装:PG-TO220-3
类型:IGBT晶体管
说明:IKP08N65H5——650V、8A、IGBT晶体管,带反并联二极管,采用 TO-220 封装
IKP08N65H5 产品属性:
系列:TRENCHSTOP™
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A
功率 - 最大值:70 W
开关能量:70µJ(导通),30µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:22 nC
25°C 时 Td(开/关)值:11ns/115ns
测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):40 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:PG-TO220-3-111
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S25FS128SDSNFM100 四通道串行外设接口闪存芯片是一款基于四数据线串行接口的高性能低功耗存储解决方案,可实现每个时钟周期传输多个比特,从而显著提升数据传输速率与带宽。S25FS128SDSNFM100 特性• 串行外设接口(SPI)- SPI时钟极性与相位模式0和3- 双倍数据速率(DDR…S25FS064SAGBHM020
S25FS064SAGBHM020 四通道串行外设接口闪存是一款高性能、低功耗存储解决方案,广泛应用于各类嵌入式系统,例如智能手机、平板电脑和数码相机等消费电子产品。S25FS064SAGBHM020 特性• 支持多I/O的串行外设接口(SPI)- SPI时钟极性与相位模式0/3- 双倍数据速率(DDR)选…S25FS512SAGNFM010
S25FS512SAGNFM010是一款高性能NOR闪存芯片,存储容量为512MBIT,支持多种串行接口及高级数据保护功能。S25FS512SAGNFM010特性• 支持多I/O模式的串行外设接口(SPI)- SPI时钟极性与相位模式0和3- 双倍数据速率(DDR)选项- 扩展寻址:24位或32位地址选项- 串行命令子集…电话咨询:86-755-83294757
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