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产品说明:650V、8A、TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT晶体管,PG-TO220-3
封装:PG-TO220-3产品说明:650V、15A、IGBT晶体管、PG-TO220-3
封装:PG-TO220-3产品说明:650V、40A、TRENCHSTOP™ 5 IGBT 分立器件,PG-TO220-3
封装:PG-TO220-3产品说明:通孔 N 通道 850 V 14A(Tc) 38W(Tc) TO-220
封装:TO-220-3产品说明:沟槽栅极场截止型650 V、30 A低损耗M系列IGBT,采用D²PAK封装
封装:D2PAK产品说明:N沟道 600 V,典型值 0.055 Ω,44 A MDmesh™ II 功率 MOSFET,采用 TO-247 封装
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 440 V 20 A 125 W 表面贴装型 D2PAK
封装:D2PAK-3产品说明:60V P沟道功率MOSFET晶体管,适用于汽车应用
封装:SOT-223-4产品说明:汽车级二极管 单相 标准 600 V 表面贴装型 9-ACEPACK SMIT
封装:ECOPACK2-9产品说明:双极(BJT)晶体管 - 单 NPN 40 V 3 A 215MHz 2 W 表面贴装型 LFPAK4
封装:LFPAK-4产品说明:晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W 表面贴装型 LFPAK4
封装:LFPAK4产品说明:碳化硅(SiC)JFET - EliteSiC,5.3 mohm,750V,TO-247-4L
封装:TO-247-4L产品说明:碳化硅(SiC)JFET - EliteSiC,4.8 mohm,750V,TO-247-4L
封装:TO-247-4L产品说明:碳化硅(SiC)JFET - EliteSiC,4.3 mohm,750V,TOLL
封装:TOLL电话咨询:86-755-83294757
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