品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:800V,CoolMOS™ 功率晶体管,PG-TO252-3
封装:PG-TO252-3产品说明:600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET —— N-沟道功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-220-3产品说明:80V 2.9 mΩ OptiMOS™-5 汽车 MOSFET 晶体管
封装:HSOF-8产品说明:通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3
封装:TO-220-3产品说明:650 V、50 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装
封装:TO-247-3产品说明:750 V,10 mOhm Combo-FET,SiC JFET,带 Si MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8产品说明:30V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8产品说明:30V OptiMOS™ N+P 沟道功率 MOSFET 晶体管
封装:DSO-8电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: