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光纤模块

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IMBG120R090M1HXTMA1

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1H

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1H

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1HXTMA1

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1HXKSA1

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1H

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1HXTMA1

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1H

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1LAUMA1

产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 单通道 600V 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1L

产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 单通道 600V 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RTQ2117C-QA

产品说明:USB,Type-C 控制器 PMIC 40-VQFN(6x6)

封装:VQFN-40
0起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RTQ2117C

产品说明:USB,Type-C 控制器 PMIC 40-VQFN(6x6)

封装:VQFN-40
0起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1LAUMA1

产品说明:600V CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1L

产品说明:600V CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FAN65008B
ON

产品说明:降压 开关稳压器 IC 正 可调式 0.6V 1 输出 10A 35-PowerWFQFN

封装:PQFN-35
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TUSB544IRNQR
TI

产品说明:缓冲器,转接驱动器 4 通道 8.1Gbps 40-WQFN(6x4)

封装:WQFN-40
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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