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产品分类

嵌入式和网络处理器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:IMZA120R014M1H

商品名称:IMZA120R014M1H

数据手册:IMZA120R014M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封装:TO-247-4

货期:全新原装

库存数量:240

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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMZA120R014M1H
封装
TO-247-4
描述
采用TO247-4封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

产品描述

IMZA120R014M1H 采用TO247-4封装的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应,从而实现更快的开关速度和更高的效率。


特征描述

出类拔萃的开关损耗和导通损耗

高阈值电压,Vth > 4 V

0V关断栅极电压,实现简单的栅极驱动

宽栅源电压范围

坚固的低损耗体二极管,适用于硬开关

关断损耗受温度影响小

.XT扩散焊技术,可实现一流的热性能


应用领域

不间断电源(UPS)

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

太阳能系统解决方案

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型号

品牌

封装

数量

描述

IMBG65R050M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R040M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R020M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R015M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R007M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMZA120R007M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

2000

通孔 N 通道 650 V 26A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3-41

IMW120R014M1H

INFINEON

TO-247-3

1000

采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

IMYH200R075M1H

INFINEON

TO-247PLUS-4-HCC

1000

TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

IMYH200R012M1H

INFINEON

TO-247PLUS-4-HCC

1000

TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

常见问题

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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