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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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IMBG65R039M1HXTMA1

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1HXKSA1

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1H

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1HXTMA1

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1H

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1LAUMA1

产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 单通道 600V 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1L

产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 单通道 600V 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1LAUMA1

产品说明:600V CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1L

产品说明:600V CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 可提供高密度、高效率的解决方案

封装:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7HPSA1

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM

封装:MODULE
10起
100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AUIRF8739L2TR

产品说明:采用 DirectFET L8 封装的 40V 汽车单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

封装:DirectFET-L8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT012N08N5

产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1

封装:HSOF-8
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9263BQX

产品说明:汽车级 接口 PG-VQFN-48-31

封装:VQFN48
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IR38165MTRPBF

产品说明:降压 开关稳压器 IC 正 可调式 0.5V 1 输出 30A 24-PowerVFQFN

封装:QFN
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IR35215MTRPBF

产品说明:IC CONTROLLER MULTIPHASE 40QFN

封装:QFN
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IR35207MTRPBF

产品说明:IC CONTROLLER 40QFN

封装:QFN
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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