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AI 处理器

AI 加速器

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GD100HFX170C1S

产品说明:1700V 100A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD800HFX120C6HA

产品说明:1200V 800A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C6.1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD800HTX65P4S

产品说明:650V 800A IGBT 功率模块

封装:P4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD600HFX75C6H

产品说明:750V 600A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C6.1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD600HFX65C6H

产品说明:650V 600A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C6.1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD600HFX120C6HA

产品说明:1200V 600A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C6.1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG120X07T2

产品说明:650V/120A 带二极管的 IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD600HFX120C2SA

产品说明:1200V 600A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG10X12T2

产品说明:带二极管的 1200V/10A IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD660HFX75C6H

产品说明:750V 660A 半桥 IGBT 功率模块

封装:C6.1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG160X07TDSM

产品说明:650V/160A 带二极管的 IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG140A12TDFS

产品说明:带二极管的 1200V/140A IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DM170S12TCRB

产品说明:不带二极管的 1200V/17mΩ SIC Mosfet

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG30X07T2LR

产品说明:650V/30A 带二极管的 IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40F07TAFM

产品说明:650V/40A 带二极管的 IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG75S12T2

产品说明:带二极管的 1200V/75A IGBT

封装:T2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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