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产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 150 A 750 W 通孔 TO-247
封装:TO-247-3产品说明:汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT
封装:TO-247-3产品说明:1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,Max247长引线封装
封装:TO-247-3产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32L0 微控制器 IC 32 位单核 32MHz 192KB 闪存 48-UFQFPN
封装:48-UFQFN产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器 IC 32-位 48MHz 32KB 闪存 20-UFQFPN
封装:20-UFQFN产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器 IC 32-位 48MHz 32KB 闪存 32-LQFP
封装:32-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 128KB 闪存 28-UFQFPN
封装:28-UFQFN产品说明:ARM® Cortex®-M4F STM32G4 微控制器 IC 32 位单核 170MHz 512KB 闪存 64-UFBGA
封装:64-UFBGA产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 64KB 闪存 48-LQFP
封装:48-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 128KB 闪存 32-LQFP
封装:32-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32-位 64MHz 128KB 闪存 48-LQFP
封装:48-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 128KB(128K x 8) 闪存 64-LQFP(10x10)
封装:64-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32L0 微控制器 IC 32 位单核 32MHz 16KB(16K x 8) 闪存 14-TSSOP
封装:14-TSSOP产品说明:ARM® Cortex®-M3 STM32F2 微控制器 IC 32 位单核 120MHz 1MB(1M x 8) 闪存 64-LQFP(10x10)
封装:64-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M4 STM32L4 微控制器 IC 32 位单核 80MHz 256KB(256K x 8) 闪存 100-LQFP(14x14)
封装:100-LQFP产品说明:ARM® Cortex®-M0+ STM32G0 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 128KB(128K x 8) 闪存 64-LQFP
封装:64-LQFP电话咨询:86-755-83294757
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