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嵌入式和网络处理器

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NVXR22S90M2SPC
ON

产品说明:汽车主驱900V,2.2mOhm单侧直接冷却6-Pack碳化硅功率模块

封装:SSDC-39
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPB
ON

产品说明:碳化硅(SiC)模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V,单侧直接散热1.7mOhm,900V,6-Pack

封装:SSDC-39
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPB
ON

产品说明:汽车主驱900V,2.2mOhm单侧直接冷却6-Pack碳化硅功率模块

封装:SSDC-39
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPC
ON

产品说明:碳化硅(SiC)模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块,单侧直接散热,1.7mOhm 900V 6-Pack

封装:SSDC-39
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH011T120M3F2PTHG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 11 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200V,TNPC 拓扑,F2 封装

封装:PIM-29
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030P120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015P120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPM
ON

产品说明:2.2mOhm, 900V, 6-Pack, 单侧直接冷却 Elitesic功率模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR40WDT2
ON

产品说明:三相桥式电源模块 1200V 40mΩ 31A APM32

封装:APM-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120MNF1PG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008T120M3F2PTHG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 129A(Tc) 371W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PTNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 338A(Tc) 1098W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PTHG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 284A(Tc) 785W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH003P120M3F2PTNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 3mOhm 2组半桥拓扑结构,F2封装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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