商品名称：AIGB30N65F5ATMA1
数据手册：
AIGB30N65F5ATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：TO-263-3
货期：全新原装
库存数量：1000 件
AIGB30N65F5ATMA1 TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比，F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC（交流-直流）级和高压直流-直流拓扑。 直流）级和高压直流-直流拓扑。650V Trenchstop™ 5 F5 igbt与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V Trenchstop™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多，但回报也更高。
功能和优点：
高速 F5 技术提供：
•在硬交换和谐振拓扑中的最高效率拓扑
•650V 击穿电压-低栅极充电 QG
•最高结温 175°C
•通过动态耐压测试
•通过 AEC-Q101 认证
•绿色包装（符合 RoHS 标准）
应用
•板外充电器
•板载充电器
•DC/DC转换器
•功率因数校正
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IRFB3306GPBF
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BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3系列，采用 TDSON-8封装（3.33.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET，采用 TDSON-8封装，属于 OptiMOS™ 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关，采用PG-DSO-20封装，专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询：86-755-83294757
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