APT75GN60LDQ3G是一款600 V 沟槽型场截止型IGBT,主要应用于功率控制领域。
基本参数
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):155 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A
功率 - 最大值:536 W
开关能量:2500µJ(导通),2140µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:485 nC
25°C 时 Td(开/关)值:47ns/385ns
测试条件:400V,75A,1 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
应用领域
APT75GN60LDQ3G适用于需要高可靠性和高性能的功率控制应用,如电机控制、电源管理等领域。
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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